GB/T 33657-2017 纳米技术晶圆级纳米尺度相变存储单元电学操作参数测试规范_标准下载

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GB/T 33657-2017 纳米技术晶圆级纳米尺度相变存储单元电学操作参数测试规范

Nanotechnologies—Electrical operating parameter test specification of wafer level nano-scale phase change memory cells

GB/T 33657-2017

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标准GB/T 33657-2017标准状态

发布于：2017-05-12
实施于：2017-12-01
废止

标准详情

标准名称：纳米技术晶圆级纳米尺度相变存储单元电学操作参数测试规范
标准号：GB/T 33657-2017
中国标准分类号：L56
发布日期：2017-05-12
国际标准分类号：31.200
实施日期：2017-12-01
技术归口：全国纳米技术标准化技术委员会
代替标准：
主管部门：中国科学院
标准分类：电子学集成电路、微电子学

内容简介

国家标准《纳米技术晶圆级纳米尺度相变存储单元电学操作参数测试规范》由TC279（全国纳米技术标准化技术委员会）归口，主管部门为中国科学院。
本标准规定了纳米尺度相变存储单元读写擦参数的晶圆测试规范，其测试结果可用于表征相变存储材料或器件的电学可操作性能。本标准适用于以硫系化合物为主要原料，基于半导体晶圆工艺加工制造的电极尺度小于100nm的相变存储单元，100nm~300nm的相变存储单元也可参照本标准执行。本标准不适用于包含外围驱动电路的存储单元。

起草单位

中国科学院上海微系统与信息技术研究所、

起草人

陈一峰、陈小刚、宋志棠、

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