当前位置:标准网 国家标准

GB/T 24575-2009 硅和外延片表面Na、Al、K和Fe的二次离子质谱检测方法

GB/T 24575-2009 硅和外延片表面Na、Al、K和Fe的二次离子质谱检测方法

Test method for measuring surface sodium,aluminum,potassium,and iron on silicon and epi substrates by secondary ion mass spectrometry

GB/T 24575-2009

国家标准推荐性
收藏 报错

标准GB/T 24575-2009标准状态

  1. 发布于:
  2. 实施于:
  3. 废止

标准详情

  • 标准名称:硅和外延片表面Na、Al、K和Fe的二次离子质谱检测方法
  • 标准号:GB/T 24575-2009
    中国标准分类号:H80
  • 发布日期:2009-10-30
    国际标准分类号:29.045
  • 实施日期:2010-06-01
    技术归口:全国半导体设备和材料标准化技术委员会
  • 代替标准:
    主管部门:国家标准化管理委员会
  • 标准分类:电气工程半导体材料

内容简介

国家标准《硅和外延片表面Na、Al、K和Fe的二次离子质谱检测方法》由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口,主管部门为国家标准化管理委员会。
本标准规定了硅和外延片表面Na、Al、K 和Fe的二次离子质谱检测方法。本标准适用于用二次离子质谱法(SIMS)检测镜面抛光单晶硅片和外延片表面的Na、Al、K 和Fe每种金属总量。本标准测试的是每种金属的总量,因此该方法与各金属的化学和电学特性无关。 本标准适用于所有掺杂种类和掺杂浓度的硅片。 本标准特别适用于位于晶片表面约5nm 深度内的表面金属沾污的测试。 本标准适用于面密度范围在(109~1014)atoms/cm2 的Na、Al、K 和Fe的测试。本方法的检测限取决于空白值或计数率极限,因仪器的不同而不同。

起草单位

信息产业部专用材料质量监督检验中心、中国电子科技集团公司第四十六研究所、

起草人

何友琴、 马农农、 丁丽、

相近标准

GB/T 40915-2021 X射线荧光光谱法测定钠钙硅玻璃中SiO2、Al2O3、Fe2O3、K2O、Na2O、CaO、MgO含量
20232769-T-469 表面化学分析 二次离子质谱 用均匀掺杂物质测定硅中硼的原子浓度
20220133-T-469 埋层硅外延片
DB63/T 1297-2014 卤水碳酸锂中Na、K、Fe、Ca、Mg、B含量的测定-电感耦合等离子发射光谱法
20213227-T-469 表面化学分析 二次离子质谱 静态二次离子质谱相对强度标的重复性和一致性
SJ/T 11493-2015 硅衬底中氮浓度的二次离子质谱测量方法
GB/T 32281-2015 太阳能级硅片和硅料中氧、碳、硼和磷量的测定 二次离子质谱法
SJ/T 11498-2015 重掺硅衬底中氧浓度的二次离子质谱测量方法
20232366-T-469 表面化学分析 二次离子质谱 单离子计数飞行时间质谱分析器的强度标线性
GB/T 32495-2016 表面化学分析 二次离子质谱 硅中砷的深度剖析方法

* 特别声明:资源收集自网络或用户上传,版权归原作者所有,如侵犯您的权益,请联系我们处理。

  • 标准质量:
  • 下载说明

  • ① 欢迎分享本站未收录或质量优于本站的标准,期待。
    ② 标准出现数据错误、过期或其它问题请点击下方「在线纠错」通知我们,感谢!
    ③ 本站资源均来源于互联网,仅供网友学习交流,若侵犯了您的权益,请联系我们予以删除。