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GB/T 24579-2009 酸浸取 原子吸收光谱法测定多晶硅表面金属污染物

GB/T 24579-2009 酸浸取 原子吸收光谱法测定多晶硅表面金属污染物

Test method for measuring surface metal contamination of polycrystalline silicon by acid extraction-atomic absorption spectroscopy

GB/T 24579-2009

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标准GB/T 24579-2009标准状态

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  • 标准名称：酸浸取 原子吸收光谱法测定多晶硅表面金属污染物
  • 标准号：GB/T 24579-2009
    中国标准分类号：H80
  • 发布日期：2009-10-30
    国际标准分类号：29.045
  • 实施日期：2010-06-01
    技术归口：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
  • 代替标准：
    主管部门：国家标准化管理委员会
  • 标准分类：电气工程半导体材料

内容简介

国家标准《酸浸取 原子吸收光谱法测定多晶硅表面金属污染物》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，主管部门为国家标准化管理委员会。
本标准规定了用酸从多晶硅块表面浸取金属杂质,并用石墨炉原子吸收定量检测多晶硅块表面上的痕量金属杂质分析方法。 本标准适用于碱金属、碱土金属和第一系列过渡元素如钠、铝、铁、铬、镍、锌的检测。 本标准适用于各种棒、块、粒、鋉片形多晶或单晶硅表面金属污染物的检测。由于块、片或粒形状不规则,面积很难准确测定,根据样品重量计算结果。

起草单位

信息产业部专用材料质量监督检验中心、中国电子科技集团公司第四十六研究所、

起草人

褚连青、 王奕、 魏利洁、

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