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GB/T 1553-2009 硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法

GB/T 1553-2009 硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法

Test methods for minority carrier lifetime in bulk germanium and silicon by measurement of photoconduetivity decay

GB/T 1553-2009

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标准GB/T 1553-2009标准状态

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  • 标准名称：硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法
  • 标准号：GB/T 1553-2009
    中国标准分类号：H80
  • 发布日期：2009-10-30
    国际标准分类号：29.045
  • 实施日期：2010-06-01
    技术归口：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
  • 代替标准：代替GB/T 1553-1997被GB/T 1553-2023代替
    主管部门：国家标准化管理委员会
  • 标准分类：电气工程半导体材料

内容简介

国家标准《硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准化管理委员会。
u3000u30001.1 本标准规定了硅和锗单晶体内少数载流子寿命的测量方法。本标准适用于非本征硅和锗单晶体内载流子复合过程中非平衡少数载流子寿命的测量。

起草单位

峨嵋半导体材料厂、

起草人

江莉、 杨旭、

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