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GB/T 29057-2012 用区熔拉晶法和光谱分析法评价多晶硅棒的规程

GB/T 29057-2012 用区熔拉晶法和光谱分析法评价多晶硅棒的规程

Practice for evaluation of polocrystalline silicon rods by float-zone crystal growth and spectroscopy

GB/T 29057-2012

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标准GB/T 29057-2012标准状态

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标准详情

  • 标准名称：用区熔拉晶法和光谱分析法评价多晶硅棒的规程
  • 标准号：GB/T 29057-2012
    中国标准分类号：H80
  • 发布日期：2012-12-31
    国际标准分类号：29.045
  • 实施日期：2013-10-01
    技术归口：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
  • 代替标准：被GB/T 29057-2023代替
    主管部门：国家标准化管理委员会
  • 标准分类：电气工程半导体材料

内容简介

国家标准《用区熔拉晶法和光谱分析法评价多晶硅棒的规程》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准化管理委员会。
本标准包括多晶硅棒取样、将样品区熔拉制成单晶以及通过光谱分析法对拉制好的单晶硅棒进行分析以确定多晶硅中痕量杂质的程序。这些痕量杂质包括施主杂质(通常是磷或砷,或二者兼有)、受主杂质(通常是硼或铝,或二者兼有)及碳杂质。本标准中适用的杂质浓度测定范围:施主和受主杂质为(0. 002～100) ppba(十亿分之一原子比),碳杂质为(0.02～15) ppma(百万分之一原子比)。样品中的这些杂质是通过低温红外光谱法或光致发光光谱法分析的。本标准仅适用于评价在硅芯上沉积生长的多晶硅棒。

起草单位

四川新光硅业科技有限责任公司、天威四川硅业有限责任公司、乐山乐电天威硅业科技有限责任公司、

起草人

梁洪、 刘畅、 蓝志、 张华端、 陈自强、张新、

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