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GB/T 4058-2009 硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法

GB/T 4058-2009 硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法

Test method for detection of oxidation induced defects in polished silicon wafers

GB/T 4058-2009

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标准GB/T 4058-2009标准状态

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标准详情

  • 标准名称：硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法
  • 标准号：GB/T 4058-2009
    中国标准分类号：H80
  • 发布日期：2009-10-30
    国际标准分类号：29.045
  • 实施日期：2010-06-01
    技术归口：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
  • 代替标准：代替GB/T 4058-1995
    主管部门：国家标准化管理委员会
  • 标准分类：电气工程半导体材料

内容简介

国家标准《硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，主管部门为国家标准化管理委员会。
u3000u3000本标准规定了硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法。 u3000u3000本标准适用于硅抛光片表面区在模拟器件氧化工艺中诱生或增强的晶体缺陷的检测。 u3000u3000硅单晶氧化诱生缺陷的检验也可参照此方法。

起草单位

峨嵋半导体材料厂、

起草人

何兰英、 王炎、 张辉坚、刘阳、

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