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GB/T 1558-2009 硅中代位碳原子含量 红外吸收测量方法

GB/T 1558-2009 硅中代位碳原子含量 红外吸收测量方法

Test method for substitutional atomic carbon concent of silicon by infrared absorption

GB/T 1558-2009

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  • 标准名称：硅中代位碳原子含量 红外吸收测量方法
  • 标准号：GB/T 1558-2009
    中国标准分类号：H80
  • 发布日期：2009-10-30
    国际标准分类号：29.045
  • 实施日期：2010-06-01
    技术归口：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
  • 代替标准：代替GB/T 1558-1997被GB/T 1558-2023代替
    主管部门：国家标准化管理委员会
  • 标准分类：电气工程半导体材料

内容简介

国家标准《硅中代位碳原子含量 红外吸收测量方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准化管理委员会。
u3000u3000本标准规定了硅中代位碳原子含量的红外吸收测量方法。 本标准适用于电阻率高于3Ω·cm的p型硅片及电阻率高于1Ω·cm的n型硅片中代位碳原子含量的测定，对于精密度要求不高的硅片，可以测量电阻率大于0.1Ω·cm的硅片中代位碳原子含量。由于碳也可能存在于间隙位置，因而本方法不能测定总碳含量。

起草单位

信息产业部专用材料质量监督检验中心、峨嵋半导体材料厂、中国电子科技集团公司第四十六研究所、

起草人

何秀坤、 李静、 段曙光、梁洪、

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