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GB/T 32495-2016 表面化学分析 二次离子质谱 硅中砷的深度剖析方法

GB/T 32495-2016 表面化学分析 二次离子质谱 硅中砷的深度剖析方法

Surface chemical analysis—Secondary-ion mass spectrometry—Method for depth profiling of arsenic in silicon

GB/T 32495-2016

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标准GB/T 32495-2016标准状态

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  • 标准名称：表面化学分析 二次离子质谱 硅中砷的深度剖析方法
  • 标准号：GB/T 32495-2016
    中国标准分类号：G04
  • 发布日期：2016-02-24
    国际标准分类号：71.040.40
  • 实施日期：2017-01-01
    技术归口：全国微束分析标准化技术委员会
  • 代替标准：
    主管部门：国家标准化管理委员会
  • 标准分类：化工技术分析化学化学分析

内容简介

国家标准《表面化学分析 二次离子质谱 硅中砷的深度剖析方法》由TC38（全国微束分析标准化技术委员会）归口，TC38SC2（全国微束分析标准化技术委员会表面化学分析分会）执行，主管部门为国家标准化管理委员会。
本标准中，详细规定了用扇形磁场或四极杆式二次离子质谱仪对硅中砷进行深度剖析的方法，以及用触针式轮廓仪或光学干涉仪深度定标的方法。本标准适用于砷原子浓度范围从1×1016atoms/cm3 到2.5×1021atoms/cm3的单晶硅、多晶硅、非晶硅样品，坑深在50nm及以上。

起草单位

中国电子科技集团公司第四十六研究所、

起草人

马农农、 陈潇、 何友琴、王东雪、

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