GB/T 14142-1993 硅外延层晶体完整性检查方法腐蚀法_标准下载

GB/T 14142-1993 硅外延层晶体完整性检查方法腐蚀法

Test method for sheet resistance of silicon epitaxial, diffused and ion-implanted layers using a collinear four-probe array

GB/T 14142-1993

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标准GB/T 14142-1993标准状态

发布于：1993-02-06
实施于：1993-10-01
废止

标准详情

标准名称：硅外延层晶体完整性检查方法腐蚀法
标准号：GB/T 14142-1993
中国标准分类号：H26
发布日期：1993-02-06
国际标准分类号：
实施日期：1993-10-01
技术归口：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
代替标准：被GB/T 14142-2017被GB/T 14142-2017 代替
主管部门：国家标准化管理委员会
标准分类：

内容简介

本标准规定了用化学腐蚀显示，并用金相显微镜检验硅外延层晶体缺陷的方法本标准适用于硅外延层中堆垛层错和位错密度测量。硅外延层厚度应大于2μm测量范围为010000cm。
国家标准《硅外延层晶体完整性检查方法腐蚀法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，主管部门为国家标准化管理委员会。

起草单位

峨眉半导体材料研究所、

起草人

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