GB/T 14847-1993 重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法_标准下载

GB/T 14847-1993 重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法

Test method for thickness of lightly doped silicon eqitaxial layers on heavily doped silicon substrates by infrared reflectance

GB/T 14847-1993

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标准GB/T 14847-1993标准状态

发布于：1993-12-30
实施于：1994-09-01
废止

标准详情

标准名称：重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法
标准号：GB/T 14847-1993
中国标准分类号：H21
发布日期：1993-12-30
国际标准分类号：
实施日期：1994-09-01
技术归口：全国半导体材料和设备标准化技术委员会
代替标准：被GB/T 14847-2010被GB/T 14847-2010代替
主管部门：国家标准化管理委员会
标准分类：

内容简介

本标准规定了重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法。本标准适用于衬底室温电阻率小于0.02Ω·cm和外延层室温电阻率大于0.1Ω·cm且外延层厚度大于2μm的硅外延层厚度的测量。
国家标准《重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，主管部门为国家标准化管理委员会。

起草单位

机电部四十六所、

起草人

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