GB/T 6617-1995 硅片电阻率测定扩展电阻探针法_标准下载

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GB/T 6617-1995 硅片电阻率测定扩展电阻探针法

Test method for measuring resistivity of silicon wafers using spreading resistance probe

GB/T 6617-1995

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标准GB/T 6617-1995标准状态

发布于：1995-04-18
实施于：1995-12-01
废止

标准详情

标准名称：硅片电阻率测定扩展电阻探针法
标准号：GB/T 6617-1995
中国标准分类号：H21
发布日期：1995-04-18
国际标准分类号：
实施日期：1995-12-01
技术归口：全国半导体材料和设备标准化技术委员会
代替标准：被GB/T 6617-2009被GB/T 6617-2009 代替
主管部门：国家标准化管理委员会
标准分类：

内容简介

本标准规定了硅片电阻率的扩展电阻探针测量方法。本标准适用于测量晶体取向与导电类型已知的硅片的电阻率和测量与衬底同型或反型的硅外延层的电阻率。测量范围：10～10Ω·cm。
国家标准《硅片电阻率测定扩展电阻探针法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，主管部门为国家标准化管理委员会。

起草单位

上海有色金属研究所、

起草人

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