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GB/T 24578-2015 硅片表面金属沾污的全反射X光荧光光谱测试方法

GB/T 24578-2015 硅片表面金属沾污的全反射X光荧光光谱测试方法

Test method for measuring surface metal contamination on silicon wafers by total reflection X-Ray fluorescence spectroscopy

GB/T 24578-2015

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  • 标准名称：硅片表面金属沾污的全反射X光荧光光谱测试方法
  • 标准号：GB/T 24578-2015
    中国标准分类号：H17
  • 发布日期：2015-12-10
    国际标准分类号：77.040
  • 实施日期：2017-01-01
    技术归口：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
  • 代替标准：代替GB/T 24578-2009
    主管部门：国家标准化管理委员会
  • 标准分类：冶金金属材料试验

内容简介

国家标准《硅片表面金属沾污的全反射X光荧光光谱测试方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准化管理委员会。
本标准规定了使用全反射X光荧光光谱，定量测定硅抛光衬底表面层的元素面密度的方法。本标准适用于硅单晶抛光片、外延片(以下称硅片)，尤其适用于硅片清洗后自然氧化层，或经化学方法生长的氧化层中沾污元素面密度的定，测定范围为10 9 atoms/cm 2～ 10 15 atoms/cm 2 。本标准同样适用于其他半导体材料，如砷化镓、碳化硅、SOI等镜面抛光晶片表面金属沾污的测定。对良好的镜面抛光表面，可探测深度约5nm，分析深度随表面粗糙度的改善而增大。本方法可检测元素周期表中原子序数 16(S)～92(U)的元素，尤其适用于测定以下元素:钾、钙、钛、钒、铬、锰、铁、钴、镍、铜、锌、砷、钼、钯、银、锡、、钨、铂、金、汞和铅。本方法的检测限取决于原子序数、激励能、激励X射线的光通量、设备的本底积分时间以及空白值。对恒定的设备参数，无干扰检测限是元素原子序数的函数，其变化超过两个数量级。重复性和检限的关系见附录A本方法是非破坏性的，是对其他测试方法的补充，与不同表面金属测试方法的比较及校准样品的标定参见附录B。

起草单位

有研新材料股份有限公司、浙江省硅材料质量检验中心、万向硅峰电子股份有限公司、

起草人

孙燕、 李俊峰、 朱兴萍、 楼春兰、潘紫龙、

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