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GB/T 32189-2015 氮化镓单晶衬底表面粗糙度的原子力显微镜检验法

GB/T 32189-2015 氮化镓单晶衬底表面粗糙度的原子力显微镜检验法

Test method for surface roughness of GaN single crystal substrate by atomic force microscope

GB/T 32189-2015

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标准GB/T 32189-2015标准状态

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  • 标准名称：氮化镓单晶衬底表面粗糙度的原子力显微镜检验法
  • 标准号：GB/T 32189-2015
    中国标准分类号：H21
  • 发布日期：2015-12-10
    国际标准分类号：77.040
  • 实施日期：2016-11-01
    技术归口：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
  • 代替标准：
    主管部门：国家标准化管理委员会
  • 标准分类：冶金金属材料试验

内容简介

国家标准《氮化镓单晶衬底表面粗糙度的原子力显微镜检验法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，主管部门为国家标准化管理委员会。
本标准规定了用原子力显微镜测试氮化镓单晶衬底表面粗糙度的方法。 本标准适用于化学气相沉积及其他方法生长制备的表面粗糙度小于10nm 的氮化镓单晶衬底。其他具有相似表面结构的半导体单晶衬底应用本标准提供的方法进行测试前,需经测试双方协商达成一致。

起草单位

中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、苏州纳维科技有限公司、

起草人

刘争晖、 钟海舰、 邱永鑫、 曾雄辉、 徐耿钊、樊英民、王建峰、徐科、

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