GB/T 39145-2020 硅片表面金属元素含量的测定电感耦合等离子体质谱法_标准下载

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GB/T 39145-2020 硅片表面金属元素含量的测定电感耦合等离子体质谱法

Test method for the content of surface metal elements on silicon wafers—Inductively coupled plasma mass spectrometry

GB/T 39145-2020

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标准GB/T 39145-2020标准状态

发布于：2020-10-11
实施于：2021-09-01
废止

标准详情

标准名称：硅片表面金属元素含量的测定电感耦合等离子体质谱法
标准号：GB/T 39145-2020
中国标准分类号：H17
发布日期：2020-10-11
国际标准分类号：77.040
实施日期：2021-09-01
技术归口：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
代替标准：
主管部门：国家标准化管理委员会
标准分类：冶金金属材料试验

内容简介

国家标准《硅片表面金属元素含量的测定电感耦合等离子体质谱法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准化管理委员会。
本标准规定了电感耦合等离子体质谱法测定硅片表面金属元素含量的方法。本标准适用于硅单晶抛光片和硅外延片表面痕量金属钠、镁、铝、钾、钙、铬、锰、铁、钴、镍、铜、锌元素含量的测定，测定范围为108cm-2~1013cm-2。本标准同时也适用于硅退火片、硅扩散片等无图形硅片表面痕量金属元素含量的测定。注:硅片表面的金属元素含量以每平方厘米的原子数计。

起草单位

南京国盛电子有限公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、有色金属技术经济研究院、龙腾半导体有限公司、有研半导体材料有限公司、上海合晶硅材料有限公司、无锡华瑛微电子技术有限公司、厦门科鑫电子有限公司、

起草人

骆红、潘文宾、张海英、徐新华、李素青、马林宝、赵而敬、孙燕、温子瑛、胡金枝、李俊需、

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