DB35/T 1370-2013 发光二极管芯片点测方法_标准下载

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DB35/T 1370-2013 发光二极管芯片点测方法

DB35/T 1370-2013

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标准DB35/T 1370-2013标准状态

发布于：2013-12-04
实施于：2014-03-01
废止

标准详情

标准名称：发光二极管芯片点测方法
标准号：DB35/T 1370-2013
中国标准分类号：L45
发布日期：2013-12-04
国际标准分类号：31.260
实施日期：2014-03-01
技术归口：省信息化局
代替标准：
主管部门：福建省质量技术监督局
标准分类：电子学信息传输、软件和信息技术服务业光电子学、激光设备福建省

内容简介

地方标准《发光二极管芯片点测方法》由省信息化局归口上报，主管部门为福建省质量技术监督局。本标准规定了发光二极管芯片（以下简称芯片）的点测条件和点测方法。本标准适用于可见光发光二极管芯片光参数、直流电参数以及静电放电敏感性的点测。紫外光、红外光发光二极管芯片以及外延片的点测也可参照使用。本标准不适用于发光二极管芯片的热参数和交流特性测试。

起草单位

厦门市三安光电科技有限公司、福建省光电行业协会、厦门市产品质量监督检验院、国家半导体发光器件（LED）应用产品质量监督检验中心、

起草人

蔡伟智、梁奋、时军朋、葛莉荭、陈涛、兰国政、李国煌、吕艳、黄松金、刘毅清、

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