标准详情
- 标准名称:发光二极管芯片点测方法
- 标准号:DB35/T 1370-2013
- 中国标准分类号:L45
- 发布日期:2013-12-04
- 国际标准分类号:31.260
- 实施日期:2014-03-01
- 技术归口:省信息化局
- 代替标准:
- 主管部门:福建省质量技术监督局
- 标准分类:电子学信息传输、软件和信息技术服务业光电子学、激光设备福建省
地方标准《发光二极管芯片点测方法》由省信息化局归口上报,主管部门为福建省质量技术监督局。本标准规定了发光二极管芯片(以下简称芯片)的点测条件和点测方法。本标准适用于可见光发光二极管芯片光参数、直流电参数以及静电放电敏感性的点测。紫外光、红外光发光二极管芯片以及外延片的点测也可参照使用。本标准不适用于发光二极管芯片的热参数和交流特性测试。
厦门市三安光电科技有限公司、福建省光电行业协会、厦门市产品质量监督检验院、国家半导体发光器件(LED)应用产品质量监督检验中心、
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