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GB/T 41153-2021 碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定 二次离子质谱法

GB/T 41153-2021 碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定 二次离子质谱法

Determination of boron, aluminum and nitrogen impurity content in silicon carbide single crystal—Secondary ion mass spectrometry

GB/T 41153-2021

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标准GB/T 41153-2021标准状态

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  • 标准名称：碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定 二次离子质谱法
  • 标准号：GB/T 41153-2021
    中国标准分类号：H17
  • 发布日期：2021-12-31
    国际标准分类号：77.040
  • 实施日期：2022-07-01
    技术归口：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
  • 代替标准：
    主管部门：国家标准化管理委员会
  • 标准分类：冶金金属材料试验

内容简介

国家标准《碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定 二次离子质谱法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准化管理委员会。
本文件规定了碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的二次离子质谱测试方法。本文件适用于碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的定量分析，测定范围为硼含量不小于5X1013cm-3、铝含量不小于5X1013cm-3氮含量不小于5X1015cm-3，元素浓度（原子个数百分比）不大于1%。注1：碳化硅单晶中待测元素的含量以每立方厘米中的原子数计。注2:碳化硅单晶中钒杂质含量的测定可参照本文件进行，测定范围为钒含量不小于1x1013cm-3c。

起草单位

中国电子科技集团公司第四十六研究所、山东天岳先进科技股份有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、

起草人

马农农、 何友琴、 何烜坤、 李素青、 陈潇、刘立娜、张红岩、

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