GB/T 14863-1993 用栅控和非栅控二极管的电压-电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的标准方法_标准下载

GB/T 14863-1993 用栅控和非栅控二极管的电压-电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的标准方法

Standard test method for net carrier density in silicon eqitaxial layers by voltage-capacitance of gated and ungated diodes

GB/T 14863-1993

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标准GB/T 14863-1993标准状态

发布于：1993-12-30
实施于：1994-10-01
废止

标准详情

标准名称：用栅控和非栅控二极管的电压-电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的标准方法
标准号：GB/T 14863-1993
中国标准分类号：L41
发布日期：1993-12-30
国际标准分类号：
实施日期：1994-10-01
技术归口：信息产业部（电子）
代替标准：被GB/T 14863-2013被GB/T 14863-2013代替
主管部门：工业和信息化部（电子）
标准分类：

内容简介

本标准规定了用栅控和非栅控二极管的电压-电容关系测定硅外延层中净载流了浓度的原理、仪器与材料、样品制备、测量步骤和数据处理。本标准适用于外延层厚度不小于某一最小厚度值（见附录B）的相同或相反导电类型衬底上的n型或p型外延层，也适用于体材料。
国家标准《用栅控和非栅控二极管的电压-电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的标准方法》由339-1（工业和信息化部（电子））归口上报及执行，主管部门为工业和信息化部（电子）。

起草单位

机械电子工业部46所和4所、

起草人

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