GB/T 5252-2006 锗单晶位错腐蚀坑密度测量方法_标准下载

当前位置：标准网国家标准

GB/T 5252-2006 锗单晶位错腐蚀坑密度测量方法

Germanium monocrystal - inspection of dislocation etch pit density

GB/T 5252-2006

国家标准推荐性废止

收藏报错

标准GB/T 5252-2006标准状态

发布于：2006-07-18
实施于：2006-11-01
废止

标准详情

标准名称：锗单晶位错腐蚀坑密度测量方法
标准号：GB/T 5252-2006
中国标准分类号：H17
发布日期：2006-07-18
国际标准分类号：77.040.01
实施日期：2006-11-01
技术归口：中国有色金属工业协会
代替标准：代替GB/T 5252-1985被GB/T 5252-2020代替
主管部门：中国有色金属工业协会
标准分类：冶金金属材料试验金属材料试验综合

内容简介

国家标准《锗单晶位错腐蚀坑密度测量方法》由610（中国有色金属工业协会）归口，主管部门为中国有色金属工业协会。
本标准适用于位错密度0cm-2～100 0000cm-2的n型和p型锗单晶棒或片的位错密度或其他缺陷的测量．观察面为(111)(100)(113)面。

起草单位

北京有色金属研究总院、

起草人

余怀之、刘建平、

相近标准

GB/T 34481-2017 低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法
SJ/T 11490-2015 低位错密度砷化镓抛光片蚀坑密度的测量方法
SJ/T 11489-2015 低位错密度磷化铟抛光片蚀坑密度的测量方法
GB/T 11297.6-1989 锑化铟单晶位错蚀坑的腐蚀显示及测量方法
GB/T 5252-2020 锗单晶位错密度的测试方法
GB/T 33763-2017 蓝宝石单晶位错密度测量方法
SJ/T 10557.3-1994 电解电容器用铝箔平均位错密度测量方法
SJ/T 10625-1995 锗单晶中间隙氧含量的红外吸收测量方法
GB/T 26066-2010 硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法
GB/T 8760-2020 砷化镓单晶位错密度的测试方法

* 特别声明：资源收集自网络或用户上传，版权归原作者所有，如侵犯您的权益，请联系我们处理。

暂无文本

标准质量：

发布者资料：

下载说明

① 欢迎分享本站未收录或质量优于本站的标准，期待。
② 标准出现数据错误、过期或其它问题请点击下方「在线纠错」通知我们，感谢！
③ 本站资源均来源于互联网，仅供网友学习交流，若侵犯了您的权益，请联系我们予以删除。

在线纠错

标准过期下载问题模糊有误其它问题