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GB/T 1551-1995 硅、锗单晶电阻率测定 直流两探针法

GB/T 1551-1995 硅、锗单晶电阻率测定 直流两探针法

Test method for resistivity of silicon and germanium bars using a two-point probe

GB/T 1551-1995

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标准GB/T 1551-1995标准状态

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  • 标准名称：硅、锗单晶电阻率测定 直流两探针法
  • 标准号：GB/T 1551-1995
    中国标准分类号：H21
  • 发布日期：1995-04-18
    国际标准分类号：77.040.30
  • 实施日期：1995-12-01
    技术归口：全国半导体材料和设备标准化技术委员会
  • 代替标准：代替GB/T 5253-1985;GB/T 1551-1979被GB/T 1551-2009代替
    主管部门：国家标准化管理委员会
  • 标准分类：冶金

内容简介

本标准规定了用直流两探针测量硅和锗单晶锭电阻率的方法。 本标准适用于测量截面积均匀的圆形、方形或矩形单晶锭的电阻率。测量范围：硅单晶为10～10Ω·cm,锗单晶为5×10～10Ω·cm。试样长度与截面最大尺寸之比应不小于3：1

起草单位

上海有色金属工业总公司

起草人

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