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GB/T 4059-1983 硅多晶气氛区熔磷检验方法

GB/T 4059-1983 硅多晶气氛区熔磷检验方法

Polycrystalline silicon--Examination method--Zone-melting on phosphorus under controlled atmosphere

GB/T 4059-1983

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标准GB/T 4059-1983标准状态

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  • 标准名称：硅多晶气氛区熔磷检验方法
  • 标准号：GB/T 4059-1983
    中国标准分类号：H21
  • 发布日期：1983-12-20
    国际标准分类号：77.040.30
  • 实施日期：1984-12-01
    技术归口：中国有色金属工业协会
  • 代替标准：被GB/T 4059-2007代替
    主管部门：中国有色金属工业协会
  • 标准分类：冶金金属材料试验金属材料化学分析

内容简介

本标准适用于三氯氢硅及四氯化硅氢还原在细硅芯上沉积硅多晶所生长出来的硅多晶棒。检测杂质浓度有效范围0.02～20ppba。 N型电阻率范围10～2000Ω·Cm。

起草单位

峨嵋半导体材料厂

起草人

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