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GB/T 41765-2022 碳化硅单晶位错密度的测试方法

GB/T 41765-2022 碳化硅单晶位错密度的测试方法

Test method for dislocation density of monocrystalline silicon carbide

GB/T 41765-2022

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标准GB/T 41765-2022标准状态

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  • 标准名称：碳化硅单晶位错密度的测试方法
  • 标准号：GB/T 41765-2022
    中国标准分类号：H21
  • 发布日期：2022-10-12
    国际标准分类号：77.040
  • 实施日期：2023-05-01
    技术归口：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
  • 代替标准：
    主管部门：国家标准化管理委员会
  • 标准分类：冶金金属材料试验

内容简介

国家标准《碳化硅单晶位错密度的测试方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准化管理委员会。
本文件规定了碳化硅单晶位错密度的测试方法。本文件适用于晶面偏离{0001}面、偏向{1120}方向0°~8°的碳化硅单晶位错密度的测试。

起草单位

北京天科合达半导体股份有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、

起草人

彭同华、 佘宗静、 赵宁、 王波、 李素青、 娄艳芳、王大军、郭钰、杨建、

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