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GB/T 41751-2022 氮化镓单晶衬底片晶面曲率半径测试方法

GB/T 41751-2022 氮化镓单晶衬底片晶面曲率半径测试方法

Test method for radius of curvature of crystal plane in GaN single crystal substrate wafers

GB/T 41751-2022

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标准GB/T 41751-2022标准状态

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  • 标准名称：氮化镓单晶衬底片晶面曲率半径测试方法
  • 标准号：GB/T 41751-2022
    中国标准分类号：H21
  • 发布日期：2022-10-12
    国际标准分类号：77.040
  • 实施日期：2023-02-01
    技术归口：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
  • 代替标准：
    主管部门：国家标准化管理委员会
  • 标准分类：冶金金属材料试验

内容简介

国家标准《氮化镓单晶衬底片晶面曲率半径测试方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准化管理委员会。
本文件规定了利用高分辨X射线衍射仪测试氮化镓单晶衬底片晶面曲率半径的方法。本文件适用于化学气相沉积及其他方法制备的氮化稼单晶衬底片晶面曲率半径的测试，氮化榢外延片晶面曲率半径的测试可参照本文件进行。

起草单位

中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、中国电子科技集团公司第四十六研究所、厦门柯誉尔科技有限公司、福建兆元光电有限公司、苏州纳维科技有限公司、哈尔滨奥瑞德光电技术有限公司、山西华晶恒基新材料有限公司、

起草人

邱永鑫、 徐科、 李腾坤、 左洪波、 杨鑫宏、 邝光宁、 王建峰、任国强、郑树楠、刘立娜、丁崇灯、陈友勇、

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