当前位置:标准网 国家标准

GB/T 26074-2010 锗单晶电阻率直流四探针测量方法

GB/T 26074-2010 锗单晶电阻率直流四探针测量方法

Germanium monocrystal-measurement of resistivity-DC linear four-point probe

GB/T 26074-2010

国家标准推荐性
收藏 报错

标准GB/T 26074-2010标准状态

  1. 发布于:
  2. 实施于:
  3. 废止

标准详情

  • 标准名称:锗单晶电阻率直流四探针测量方法
  • 标准号:GB/T 26074-2010
    中国标准分类号:H17
  • 发布日期:2011-01-10
    国际标准分类号:77.040.99
  • 实施日期:2011-10-01
    技术归口:全国半导体设备和材料标准化技术委员会
  • 代替标准:
    主管部门:国家标准化管理委员会
  • 标准分类:冶金金属材料试验金属材料的其他试验方法

内容简介

国家标准《锗单晶电阻率直流四探针测量方法》由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口,主管部门为国家标准化管理委员会。
本标准规定了用直流四探针法测量锗单晶电阻率的方法。本标准适用于测量试样厚度和从试样边缘与任一探针端点的最近距离二者均大于探针间距的4倍锗单晶的电阻串以及测量直径大于探针间距的1O倍、厚度小于探针间距4倍锗单晶圆片(简称圆片)的电阻率。测量范围为1×10-3Ω·m~l×lO2Ω·cm。

起草单位

南京中锗科技股份有限公司、云南临沧鑫圆锗业股份有限公司、北京国晶辉红外光学科技有限公司、

起草人

张莉萍、 焦欣文、 王学武、普世坤、

相近标准

SJ/T 10314-1992 直流四探针电阻率测试通用技术条件
GB/T 1551-2021 硅单晶电阻率的测定 直排四探针法和直流两探针法
GB/T 39978-2021 纳米技术 碳纳米管粉体电阻率 四探针法
YS/T 602-2017 区熔锗锭电阻率测试方法 两探针法
YS/T 602-2007 区熔锗锭电阻率测试方法 两探针法
DB13/T 5026.3-2019 石墨烯导电浆料物理性质的测定方法 第3部分:浆料极片电阻率的测定 四探针法
SJ/T 10481-1994 硅外延层电阻率的面接触三探针方法
20233945-T-610 硅片径向电阻率变化测量方法
SJ/T 10625-1995 锗单晶中间隙氧含量的红外吸收测量方法
DB/T 91—2022 直流地电阻率仪检测规范

* 特别声明:资源收集自网络或用户上传,版权归原作者所有,如侵犯您的权益,请联系我们处理。

  • 标准质量:
  • 下载说明

  • ① 欢迎分享本站未收录或质量优于本站的标准,期待。
    ② 标准出现数据错误、过期或其它问题请点击下方「在线纠错」通知我们,感谢!
    ③ 本站资源均来源于互联网,仅供网友学习交流,若侵犯了您的权益,请联系我们予以删除。