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GB/T 17170-2015 半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度红外吸收测试方法

GB/T 17170-2015 半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度红外吸收测试方法

Test method for the EL2 deep donor concentration in semi-insulating gallium arsenide single crystals by infrared absorption spectroscopy

GB/T 17170-2015

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标准GB/T 17170-2015标准状态

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  • 标准名称：半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度红外吸收测试方法
  • 标准号：GB/T 17170-2015
    中国标准分类号：H17
  • 发布日期：2015-12-10
    国际标准分类号：77.040
  • 实施日期：2016-07-01
    技术归口：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
  • 代替标准：代替GB/T 17170-1997
    主管部门：国家标准化管理委员会
  • 标准分类：冶金金属材料试验

内容简介

国家标准《半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度红外吸收测试方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，主管部门为国家标准化管理委员会。
本标准规定了半绝缘砷化镓单晶深施主 EL2浓度的红外吸收测试方法。 本标准适用于电阻率大于10^6 Ω·cm 的非掺杂和碳掺杂半绝缘砷化镓单晶深施主 EL2浓度的测定。 本标准不适用于掺铬半绝缘砷化镓单晶深施主 EL2浓度的测定。

起草单位

信息产业专用材料质量监督检验中心、中国电子材料行业协会、天津市环欧半导体材料技术有限公司、

起草人

何秀坤、 李静、 张雪囡、

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