GB/T 26070-2010 化合物半导体抛光晶片亚表面损伤的反射差分谱测试方法_标准下载

GB/T 26070-2010 化合物半导体抛光晶片亚表面损伤的反射差分谱测试方法

Characterization of subsurface damage in polished compound semiconductor wafers by reflectance difference spectroscopy method

GB/T 26070-2010

国家标准推荐性

收藏报错

标准GB/T 26070-2010标准状态

发布于：2011-01-10
实施于：2011-10-01
废止

标准详情

标准名称：化合物半导体抛光晶片亚表面损伤的反射差分谱测试方法
标准号：GB/T 26070-2010
中国标准分类号：H17
发布日期：2011-01-10
国际标准分类号：77.040.99
实施日期：2011-10-01
技术归口：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
代替标准：
主管部门：国家标准化管理委员会
标准分类：冶金金属材料试验金属材料的其他试验方法

内容简介

国家标准《化合物半导体抛光晶片亚表面损伤的反射差分谱测试方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，主管部门为国家标准化管理委员会。
1.1 本标准规定了Ⅲ—Y族化合物半导体单晶抛光片亚表面损伤的测试方法。1.2 本标准适用于GaAs、InP(GaP、GaSb可参照进行)等化合物半导体单晶抛光片亚表面损伤的测量。

起草单位

中国科学院半导体研究所、

起草人

陈涌海、赵有文、提刘旺、王元立、

相近标准

20211956-T-469 半导体晶片表面金属沾污的测定全反射X射线荧光光谱法
20231113-T-469 半导体晶片直径测试方法
SJ/T 11504-2015 碳化硅单晶抛光片表面质量的测试方法
20231305-T-469 表面化学分析 X射线光电子能谱全扫描谱的准实时信息含碳化合物表面污染的识别和校正规则
SJ/T 11503-2015 碳化硅单晶抛光片表面粗糙度的测试方法
YS/T 27-1992 晶片表面微粒沾污测量和计数的方法
GB/T 19921-2018 硅抛光片表面颗粒测试方法
GB/T 35007-2018 半导体集成电路低电压差分信号电路测试方法
SJ/T 11487-2015 半绝缘半导体晶片电阻率的无接触测量方法
YS/T 679-2008 非本征半导体中少数载流子扩散长度的稳态表面光电压测试方法

* 特别声明：资源收集自网络或用户上传，版权归原作者所有，如侵犯您的权益，请联系我们处理。

标准质量：

下载说明

① 欢迎分享本站未收录或质量优于本站的标准，期待。
② 标准出现数据错误、过期或其它问题请点击下方「在线纠错」通知我们，感谢！
③ 本站资源均来源于互联网，仅供网友学习交流，若侵犯了您的权益，请联系我们予以删除。

在线纠错

标准过期下载问题模糊有误其它问题