GB/T 26070-2010 化合物半导体抛光晶片亚表面损伤的反射差分谱测试方法_标准下载

GB/T 26070-2010 化合物半导体抛光晶片亚表面损伤的反射差分谱测试方法

Characterization of subsurface damage in polished compound semiconductor wafers by reflectance difference spectroscopy method

GB/T 26070-2010

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标准GB/T 26070-2010标准状态

发布于：2011-01-10
实施于：2011-10-01
废止

标准详情

标准名称：化合物半导体抛光晶片亚表面损伤的反射差分谱测试方法
标准号：GB/T 26070-2010
中国标准分类号：H17
发布日期：2011-01-10
国际标准分类号：77.040.99
实施日期：2011-10-01
技术归口：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
代替标准：
主管部门：国家标准化管理委员会
标准分类：冶金金属材料试验金属材料的其他试验方法

内容简介

国家标准《化合物半导体抛光晶片亚表面损伤的反射差分谱测试方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，主管部门为国家标准化管理委员会。
1.1 本标准规定了Ⅲ—Y族化合物半导体单晶抛光片亚表面损伤的测试方法。1.2 本标准适用于GaAs、InP(GaP、GaSb可参照进行)等化合物半导体单晶抛光片亚表面损伤的测量。

起草单位

中国科学院半导体研究所、

起草人

陈涌海、赵有文、提刘旺、王元立、

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