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GB/T 32281-2015 太阳能级硅片和硅料中氧、碳、硼和磷量的测定 二次离子质谱法

GB/T 32281-2015 太阳能级硅片和硅料中氧、碳、硼和磷量的测定 二次离子质谱法

Test method for measuring oxygen, carbon, boron and phosphorus in solar silicon wafers and feedstock by secondary ion mass spectrometry

GB/T 32281-2015

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标准GB/T 32281-2015标准状态

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标准详情

  • 标准名称：太阳能级硅片和硅料中氧、碳、硼和磷量的测定 二次离子质谱法
  • 标准号：GB/T 32281-2015
    中国标准分类号：H17
  • 发布日期：2015-12-10
    国际标准分类号：77.040.30
  • 实施日期：2017-01-01
    技术归口：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
  • 代替标准：
    主管部门：国家标准化管理委员会
  • 标准分类：冶金金属材料试验金属材料化学分析

内容简介

国家标准《太阳能级硅片和硅料中氧、碳、硼和磷量的测定 二次离子质谱法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，主管部门为国家标准化管理委员会。
本标准规定了太阳能级硅片和硅料中氧、碳、硼和磷元素体含量的二次离子质谱（SIMS）检测方法。 本标准适用于检测各元素体含量不随深度变化、且不考虑补偿的太阳能级单晶或多晶硅片或硅料中氧、碳、硼和磷元素的体含量。各元素体含量的检测上限均为0．2％（即＜1*10^20 atoms/cm^3），检测下限分别为氧含量≥5*10^16 atoms/cm^3、碳含量≥1*10^16 atoms/cm^3、硼含量1*10^14 atoms/cm^3和 磷含量2*10^14 atoms/cm^3 四种元素体含量的测定可使用配有一次离子源的SIMS仪器一次完成。

起草单位

江苏协鑫硅材料科技发展有限公司、中铝宁夏能源集团有限公司、洛阳鸿泰半导体有限公司、北京合能阳光新能源技术有限公司、宁夏银星多晶硅有限责任公司、新特能源股份有限公司、

起草人

薛抗美、 夏根平、 范占军、 蒋建国、 王泽林、 宋高杰、 肖宗杰、盛之林、林清香、徐自亮、刘国霞、

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