当前位置：标准网 国家标准

GB/T 30653-2014 Ⅲ族氮化物外延片结晶质量测试方法

GB/T 30653-2014 Ⅲ族氮化物外延片结晶质量测试方法

Test method for crystal quality of III-nitride epitaxial layers

GB/T 30653-2014

国家标准推荐性
收藏 报错

标准GB/T 30653-2014标准状态

  1. 发布于：
  2. 实施于：
  3. 废止

标准详情

  • 标准名称：Ⅲ族氮化物外延片结晶质量测试方法
  • 标准号：GB/T 30653-2014
    中国标准分类号：H21
  • 发布日期：2014-12-31
    国际标准分类号：77.040.20
  • 实施日期：2015-09-01
    技术归口：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
  • 代替标准：
    主管部门：国家标准化管理委员会
  • 标准分类：冶金金属材料试验金属材料无损检测

内容简介

国家标准《Ⅲ族氮化物外延片结晶质量测试方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，主管部门为国家标准化管理委员会。
本标准规定了利用高分辨X射线衍射仪测试Ⅲ族氮化物外延片结晶质量的方法原理、仪器、测试环境、样品、测试、测试结果的分析、精密度以及测试报告。 本标准适用于在氧化物衬底（Al2O3、ZnO等）或半导体衬底（GaN、Si、GaAs、SiC等）上外延生长的氮化物(Ga、In、Al)N单层或多层异质外延片结晶质量的测试。其他异质外延片结晶质量的测试也可参考本标准。

起草单位

中国科学院半导体研究所、

起草人

孙宝娟、 赵丽霞、 李晋闽、 王军喜、曾一平、

相近标准

GB/T 30654-2014 Ⅲ族氮化物外延片晶格常数测试方法
GB/T 30655-2014 氮化物LED外延片内量子效率测试方法
20220134-T-469 碳化硅外延片
GB/T 35308-2017 太阳能电池用锗基Ⅲ-Ⅴ族化合物外延片
20220133-T-469 埋层硅外延片
SJ/T 11471-2014 发光二极管外延片测试方法
20214216-T-469 III族氮化物半导体材料中位错成像的测试 透射电子显微镜法
GB/T 14139-2019 硅外延片
GB/T 14015-1992 硅-蓝宝石外延片
GB/T 36646-2018 制备氮化物半导体材料用氢化物气相外延设备

* 特别声明：资源收集自网络或用户上传，版权归原作者所有，如侵犯您的权益，请联系我们处理。

标准网本地下载
  • 标准质量：

    • 下载说明

  • ① 欢迎分享本站未收录或质量优于本站的标准，期待。
    ② 标准出现数据错误、过期或其它问题请点击下方「在线纠错」通知我们，感谢！
    ③ 本站资源均来源于互联网，仅供网友学习交流，若侵犯了您的权益，请联系我们予以删除。
  • 在线纠错
    • 标准过期 下载问题 模糊有误 其它问题

    「相关推荐」