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GB/T 4326-2006 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法

GB/T 4326-2006 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法

Extrinsic semiconductor single crystals measurement of Hall mobility and Hall coefficient

GB/T 4326-2006

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标准GB/T 4326-2006标准状态

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  • 标准名称：非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法
  • 标准号：GB/T 4326-2006
    中国标准分类号：H17
  • 发布日期：2006-07-18
    国际标准分类号：77.040.01
  • 实施日期：2006-11-01
    技术归口：全国半导体设备和材料标准化技术委员会,全国有色金属标准化技术委员会
  • 代替标准：代替GB/T 4326-1984
    主管部门：国家标准化管理委员会
  • 标准分类：冶金金属材料试验金属材料试验综合

内容简介

国家标准《非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）、全国有色金属标准化技术委员会联合归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准化管理委员会。
本标准规定的测量方法适用于测量非本征半导体单晶材料的霍尔系数、载流子霍尔迁移率、电阻率和载流子浓度。本标准规定测量方法仅在有限的范围内对锗、硅、砷化镓和磷化镓单晶材料进行了实验室测量，但该方法业可适用于其他半导体单晶材料，一般情况下，适用于室温电阻率高达10的4次方Ω?cm 半导体单晶材料的测试。

起草单位

北京有色金属研究总院、

起草人

王彤涵、

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