GB/T 43894.1-2024 半导体晶片近边缘几何形态评价第1部分：高度径向二阶导数法（ZDD）_标准下载

GB/T 43894.1-2024 半导体晶片近边缘几何形态评价第1部分：高度径向二阶导数法（ZDD）

Practice for determining semiconductor wafer near-edge geometry—Part 1:Measured height data array using a curvature metric（ZDD）

GB/T 43894.1-2024

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标准GB/T 43894.1-2024标准状态

发布于：2024-04-25
实施于：2024-11-01
废止

标准详情

标准名称：半导体晶片近边缘几何形态评价第1部分：高度径向二阶导数法（ZDD）
标准号：GB/T 43894.1-2024
中国标准分类号：H21
发布日期：2024-04-25
国际标准分类号：77.040
实施日期：2024-11-01
技术归口：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
代替标准：
主管部门：国家标准化管理委员会
标准分类：冶金金属材料试验

内容简介

国家标准《半导体晶片近边缘几何形态评价第1部分：高度径向二阶导数法（ZDD）》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准化管理委员会。
本文件描述了一系列高度径向二阶导数法（ZDD）评价半导体晶片的近边缘几何形态的方法。本文件适用于硅抛光片、硅外延片、SOI片及其他带有表面层的圆形晶片，也用于其他半导体材料圆形晶片近边缘几何形态的评价。

起草单位

山东有研半导体材料有限公司、金瑞泓微电子（嘉兴）有限公司、广东天域半导体股份有限公司、浙江丽水中欣晶圆半导体科技有限公司、中环领先半导体材料有限公司、鸿星科技（集团）股份有限公司、

起草人

王玥、朱晓彤、徐新华、徐国科、陈海婷、丁雄杰、孙燕、宁永铎、李春阳、张海英、郭正江、

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