GB/T 35306-2017 硅单晶中碳、氧含量的测定低温傅立叶变换红外光谱法_标准下载

GB/T 35306-2017 硅单晶中碳、氧含量的测定低温傅立叶变换红外光谱法

Test method for carbon and oxygen content of single crystal silicon—Low temperature fourier transform infrared spectrometry

GB/T 35306-2017

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标准GB/T 35306-2017标准状态

发布于：2017-12-29
实施于：2018-07-01
废止

标准详情

标准名称：硅单晶中碳、氧含量的测定低温傅立叶变换红外光谱法
标准号：GB/T 35306-2017
中国标准分类号：H17
发布日期：2017-12-29
国际标准分类号：77.040
实施日期：2018-07-01
技术归口：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
代替标准：被GB/T 35306-2023代替
主管部门：国家标准化管理委员会
标准分类：冶金金属材料试验

内容简介

国家标准《硅单晶中碳、氧含量的测定低温傅立叶变换红外光谱法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准化管理委员会。
本标准规定了低温傅立叶变换红外光谱法测定硅单晶中代位碳、间隙氧杂质含量的方法。本标准适用于室温电阻率大于0.1Ω？cm的N型硅单晶和室温电阻率大于0.5Ω？cm的P型硅单晶中代位碳、间隙氧杂质含量的测定。本标准测定碳、氧含量的有效范围从5X1014atoms？cm-3(0.01ppma）到硅中代位碳和间隙氧的最大固溶度。

起草单位

昆明冶研新材料股份有限公司、宜昌南玻硅材料有限公司、亚洲硅业（青海）有限公司、陕西天宏硅材料有限责任公司、江苏中能硅业科技发展有限公司、新特能源股份有限公司、青海黄河上游水电开发有限责任公司新能源分公司、

起草人

张云晖、韩小月、刘晓霞、王桃霞、银波、刘国霞、童孟、钱津旺、毛智慧、赵建为、田洪先、刘明军、蔡延国、秦榕、杨红燕、

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