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GB/T 14142-2017 硅外延层晶体完整性检验方法 腐蚀法

GB/T 14142-2017 硅外延层晶体完整性检验方法 腐蚀法

Test method for crystallographic perfection of epitaxial layers in silicon—Etching technique

GB/T 14142-2017

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标准GB/T 14142-2017标准状态

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  • 标准名称：硅外延层晶体完整性检验方法 腐蚀法
  • 标准号：GB/T 14142-2017
    中国标准分类号：H25
  • 发布日期：2017-09-29
    国际标准分类号：77.040
  • 实施日期：2018-04-01
    技术归口：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
  • 代替标准：代替GB/T 14142-1993
    主管部门：国家标准化管理委员会
  • 标准分类：冶金金属材料试验

内容简介

国家标准《硅外延层晶体完整性检验方法 腐蚀法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准化管理委员会。
本标准规定了用化学腐蚀显示，并用金相显微镜检验硅外延层晶体完整性的方法。本标准适用于硅外延层中堆垛层错和位错密度的检验，硅外延层厚度大于2μm，缺陷密度的测试范围0~10000cm-2。

起草单位

南京国盛电子有研公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、有研半导体材料有限公司、

起草人

马林宝、 骆红、 陈赫、 张海英、 杨帆、刘小青、

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