当前位置：标准网 行业标准

YS/T 679-2008 非本征半导体中少数载流子扩散长度的稳态表面光电压测试方法

YS/T 679-2008 非本征半导体中少数载流子扩散长度的稳态表面光电压测试方法

YS/T 679-2008

行业标准-YS 有色金属推荐性
收藏报错

标准YS/T 679-2008标准状态

  1. 发布于：
  2. 实施于：
  3. 废止

标准详情

  • 标准名称：非本征半导体中少数载流子扩散长度的稳态表面光电压测试方法
  • 标准号：YS/T 679-2008
    中国标准分类号：H80
  • 发布日期：2008-03-12
    国际标准分类号：29.045
  • 实施日期：2008-09-01
    技术归口：全国有色金属标准化技术委员会
  • 代替标准：被YS/T 679-2018代替
    主管部门：国家发展和改革委员会
  • 标准分类：电气工程YS 有色金属

内容简介

行业标准《非本征半导体中少数载流子扩散长度的稳态表面光电压测试方法》由全国有色金属标准化技术委员会归口上报，主管部门为国家发展和改革委员会。1.1本标准适用于非本征单晶半导体材料样品或相同导电类型重掺衬底上沉积已知电阻率的同质外延层中的少数载流子扩散长度的测量。要求样品或外延层厚度大于4倍的扩散长度。1.2本标准是为单晶硅样品的应用而开发的，可用于测量其他半导体，如砷化镓（同时调整相应的光照波长（能量）范围和样品的制备工艺）上的有效扩散长度和评价晶粒间界垂直于表面的多晶硅样品上有效扩散长度。本标准也可用于硅片的洁净区的宽度测定。1.3本标准对样品的电阻率和寿命的应用极限尚未确定，但已经成功的对电阻率（0.l～50）Ω·cm、载流子寿命短至2ns的p和n型硅样品

起草单位

有研半导体材料股份有限公司

起草人

孙燕、卢立延

相近标准

YS/T 679-2018 非本征半导体中少数载流子扩散长度的测试 表面光电压法
GB/T 1550-2018 非本征半导体材料导电类型测试方法
20233951-T-610 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法
GB/T 4326-2006 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法
20213170-T-339 半导体器件 金属氧化物半导体（MOS） 晶体管的热载流子试验
GB/T 1553-2023 硅和锗体内少数载流子寿命的测定 光电导衰减法
DB65/T 3485-2013 太阳能级多晶硅块少数载流子寿命测量方法
SJ/T 10805-2000 半导体集成电路 电压比较器测试方法的基本原理
GB/T 14114-1993 半导体集成电路电压/频率和频率/电压转换器测试方法的基本原理

* 特别声明：资源收集自网络或用户上传，版权归原作者所有，如侵犯您的权益，请联系我们处理。

  • 标准质量：

    • 下载说明

  • ① 欢迎分享本站未收录或质量优于本站的标准，期待。
    ② 标准出现数据错误、过期或其它问题请点击下方「在线纠错」通知我们，感谢！
    ③ 本站资源均来源于互联网，仅供网友学习交流，若侵犯了您的权益，请联系我们予以删除。
  • 在线纠错
    • 标准过期 下载问题 模糊有误 其它问题

    「相关推荐」