SJ/T 2658.4-2015 半导体红外发射二极管测量方法第4部分：总电容_标准下载

当前位置：标准网行业标准

SJ/T 2658.4-2015 半导体红外发射二极管测量方法第4部分：总电容

SJ/T 2658.4-2015

行业标准-SJ 电子推荐性

收藏报错

标准SJ/T 2658.4-2015标准状态

发布于：2015-10-10
实施于：2016-04-01
废止

标准详情

标准名称：半导体红外发射二极管测量方法第4部分：总电容
标准号：SJ/T 2658.4-2015
中国标准分类号：L53
发布日期：2015-10-10
国际标准分类号：31.080
实施日期：2016-04-01
技术归口：工业和信息化部电子工业标准化研究院
代替标准：代替SJ 2658.4-1986
主管部门：工业和信息化部
标准分类：电子学半导体分立器件 SJ 电子

内容简介

行业标准《半导体红外发射二极管测量方法第4部分：总电容》由工业和信息化部电子工业标准化研究院归口上报，主管部门为工业和信息化部。本部分规定了半导体红外发射二极管(以下简称器件)总电容的测量原理图、测量步骤以及规定条件。本部分适用于半导体红外发射二极管。

起草单位

工业和信息化部电子工业标准化研究院

起草人

张戈、赵英

相近标准

SJ/T 2658.15-2016 半导体红外发射二极管测量方法第15部分：热阻
SJ/T 2658.1-2015 半导体红外发射二极管测量方法第1部分：总则
SJ/T 2658.14-2016 半导体红外发射二极管测量方法第14部分：结温
SJ/T 2658.12-2015 半导体红外发射二极管测量方法第12部分：峰值发射波长和光谱辐射带宽
SJ/T 2658.5-2015 半导体红外发射二极管测量方法第5部分：串联电阻
SJ/T 2658.7-2015 半导体红外发射二极管测量方法第7部分：辐射通量
SJ/T 2658.8-2015 半导体红外发射二极管测量方法第8部分：辐射强度
SJ/T 2658.6-2015 半导体红外发射二极管测量方法第6部分：辐射功率
SJ/T 2658.16-2016 半导体红外发射二极管测量方法第16部分：光电转换效率

* 特别声明：资源收集自网络或用户上传，版权归原作者所有，如侵犯您的权益，请联系我们处理。

标准网本地下载