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QJ 10005-2008 宇航用半导体器件重离子单粒子效应试验指南

QJ 10005-2008 宇航用半导体器件重离子单粒子效应试验指南

QJ 10005-2008

行业标准-QJ 航天强制性
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标准QJ 10005-2008标准状态

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标准详情

  • 标准名称：宇航用半导体器件重离子单粒子效应试验指南
  • 标准号：QJ 10005-2008
    中国标准分类号：L40
  • 发布日期：2008-02-16
    国际标准分类号：31.080
  • 实施日期：2008-06-01
    技术归口：
  • 代替标准：
    主管部门：
  • 标准分类：电子学QJ 航天

内容简介

本指导性技术文件给出了宇航用半导体器件（以下简称器件）重离子辐照引起的单粒子效应的试验指南，包括试验要求、试验方法和试验程序。本指导性技术文件适用的单粒子效应包括单粒子翻转、单粒子锁定、单粒子扰动等。不包括功率MOS器件的单粒子烧毁。本指导性技术文件中的半导体器件包括半导体集成电路和半导体分立器件。

起草单位

中国航天科技集团公司第五研究院物资部、中国航天标准化研究所

起草人

:于庆奎、唐民、朱恒静、孟猛、管长才、蔡娜、周倜、王敬贤

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