当前位置：标准网 行业标准

SJ 20636-1997 IC用大直径薄硅片的氧、碳含量微区试验方法

SJ 20636-1997 IC用大直径薄硅片的氧、碳含量微区试验方法

SJ 20636-1997

行业标准-SJ 电子强制性
收藏报错

标准SJ 20636-1997标准状态

  1. 发布于：
  2. 实施于：
  3. 废止

标准详情

  • 标准名称：IC用大直径薄硅片的氧、碳含量微区试验方法
  • 标准号：SJ 20636-1997
    中国标准分类号：L55
  • 发布日期：1997-06-17
    国际标准分类号：31.200
  • 实施日期：1997-10-01
    技术归口：
  • 代替标准：
    主管部门：
  • 标准分类：电子学SJ 电子

内容简介

本标准规定了厚度为0.3～2.0mm的硅晶片中间隙氧含量微区径向分布和替位碳含量微区测量方法。本标准适用于室温电阻率大于0.1Ω.cm的硅晶片中间隙氧含量微区径向分布和替位碳含量微区测定。测量范围。对于间隙氧含量为3.0×10^(16)at．cm^(-3)至间隙氧在硅中最大固溶度；对于替位碳含量为5.0×10^(15)at．cm^(-3)至替位碳在硅中最大固溶度。

起草单位

起草人

相近标准

SJ20639-1997黑色宾—主型液晶材料规范
SJ20640-1997红外探测器用锑化铟单晶片规范
SJ20641-1997红外探测器用锑化铟单晶规范
SJ20670-1998锆铝吸气剂规范
SJ20713-1998砷化镓用高钝镓中铜、锰、镁、钒、钛等12种杂质的等离子体光谱分析法
SJ20714-1998砷化镓抛光片亚损伤层的X射线双晶衍射试验方法
SJ20715-1998电子元器件用铍青铜板带材规范
SJ20716-1998电子元器件用铍青铜线棒材规范
SJ20717-1998氧化锌压电薄膜规范
SJ20718-1998碲镉汞晶体中痕量元素的测定方法

* 特别声明：资源收集自网络或用户上传，版权归原作者所有，如侵犯您的权益，请联系我们处理。

标准网本地下载
  • 标准质量：

    • 下载说明

  • ① 欢迎分享本站未收录或质量优于本站的标准，期待。
    ② 标准出现数据错误、过期或其它问题请点击下方「在线纠错」通知我们，感谢！
    ③ 本站资源均来源于互联网，仅供网友学习交流，若侵犯了您的权益，请联系我们予以删除。
  • 在线纠错
    • 标准过期 下载问题 模糊有误 其它问题

    「相关推荐」