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SJ/T 10482-1994 半导体深能级的瞬态电容测试方法

SJ/T 10482-1994 半导体深能级的瞬态电容测试方法

SJ/T 10482-1994

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  • 标准名称：半导体深能级的瞬态电容测试方法
  • 标准号：SJ/T 10482-1994
    中国标准分类号：H80
  • 发布日期：1994-04-11
    国际标准分类号：29.045
  • 实施日期：1994-10-01
    技术归口：电子工业部标准化研究所
  • 代替标准：
    主管部门：电子工业部
  • 标准分类：电气工程SJ 电子

内容简介

行业标准《半导体深能级的瞬态电容测试方法》，主管部门为电子工业部。本标准规定了用瞬态电容技术中的深能级瞬态谱(DLTS)法测量半导体材料中深能级的测试方法。本标准适用于测量硅、砷化镓等半导体材料中杂质、缺陷在半导体禁带中产生的深能级。由此法可得到深能级的激活能、浓度、指数前因子A等参数。本标准适用于产生指数形式电容瞬态有关的深能级。

起草单位

电子工业部第四十六研究所

起草人

刘春香，张若愚，段曙光

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