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SJ/T 10627-1995 通过测量间隙氧含量的减少表征硅片氧沉淀特性的方法

SJ/T 10627-1995 通过测量间隙氧含量的减少表征硅片氧沉淀特性的方法

SJ/T 10627-1995

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  • 标准名称：通过测量间隙氧含量的减少表征硅片氧沉淀特性的方法
  • 标准号：SJ/T 10627-1995
    中国标准分类号：H82
  • 发布日期：1995-04-22
    国际标准分类号：29.045
  • 实施日期：1995-10-01
    技术归口：电子工业部标准化研究所
  • 代替标准：
    主管部门：电子工业部
  • 标准分类：电气工程SJ 电子

内容简介

行业标准《通过测量间隙氧含量的减少表征硅片氧沉淀特性的方法》，主管部门为电子工业部。本标准适用于室温电阻率大于0．1Ω．cm的N型或P型直拉硅晶片，其热循环可为单一温度或双温度。

起草单位

电子工业部第46研究所

起草人

何秀坤、汝琼娜、李光平、段曙光

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