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SJ/T 11399-2009 半导体发光二极管芯片测试方法

SJ/T 11399-2009 半导体发光二极管芯片测试方法

SJ/T 11399-2009

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  • 标准名称：半导体发光二极管芯片测试方法
  • 标准号：SJ/T 11399-2009
    中国标准分类号：L41
  • 发布日期：2009-11-17
    国际标准分类号：31.260
  • 实施日期：2010-01-01
    技术归口：中国电子技术标准化研究所
  • 代替标准：
    主管部门：工业和信息化部
  • 标准分类：电子学SJ 电子

内容简介

行业标准《半导体发光二极管芯片测试方法》由中国电子技术标准化研究所归口上报，主管部门为工业和信息化部。本标准规定了半导体发光二极管芯片的辐射度学、光度学、色度学、电学、热学参数以及电磁兼容性的测试方法。本标准适用于可见光半导体发光二极管芯片。紫外光和红外光发光二极管芯片以及外延片的测试可参考执行。

起草单位

中国光学光电子行业协会光电器件分会、厦门华联电子有限公司、杭州浙大三色仪器有限公司、深圳淼浩高新科技有限公司

起草人

鲍超、胡爱华

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