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SJ/T 11552-2015 以布鲁斯特角入设P偏振辐射红外吸收光谱法测量硅中间隙氧含量

SJ/T 11552-2015 以布鲁斯特角入设P偏振辐射红外吸收光谱法测量硅中间隙氧含量

SJ/T 11552-2015

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  • 标准名称：以布鲁斯特角入设P偏振辐射红外吸收光谱法测量硅中间隙氧含量
  • 标准号：SJ/T 11552-2015
    中国标准分类号：H82
  • 发布日期：2015-10-10
    国际标准分类号：29.045
  • 实施日期：2016-04-01
    技术归口：全国半导体设备与材料标准化技术委员会(SAC/TC203)
  • 代替标准：
    主管部门：工业和信息化部
  • 标准分类：电气工程半导体材料SJ 电子

内容简介

行业标准《以布鲁斯特角入设P偏振辐射红外吸收光谱法测量硅中间隙氧含量》由全国半导体设备和材料标准化技术委员会归口上报，主管部门为工业和信息化部。本标准规定了以布鲁斯特角入射P偏振辐射红外吸收光谱法测量硅中间隙氧含量的方法。本标准适用于测试室温下电阻率大于5Ω·cm的硅单晶中间隙氧含量，特别适用于薄硅片样品中氧含量的测量。氧含量的有效范围从1×10at·cm至硅单晶中间隙氧的最大固溶度。

起草单位

信息产业专用材料质量监督检验中心、工业和信息化部电子工业标准化研究院、苏州晶瑞化学有限公司、天津中环领先材料技术有限公司

起草人

李静、何秀坤、刘兵

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