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T/ZSA 38-2020 SiC晶片的残余应力检测方法

T/ZSA 38-2020 SiC晶片的残余应力检测方法

T/ZSA 38-2020

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标准T/ZSA 38-2020标准状态

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标准详情

  • 标准名称：SiC晶片的残余应力检测方法
  • 标准号：T/ZSA 38-2020
    中国标准分类号：H80/84/C398
  • 发布日期：2020-12-17
    国际标准分类号：29.045
  • 实施日期：2020-12-18
    团体名称：中关村标准化协会
  • 标准分类：H 住宿和餐饮业电气工程

内容简介

本文件规定了SiC晶片内部残余应力的光学无损检测方法本文件适用于晶片厚度适当，对波长400-700nm的可见光范围内测试光的透过率在30%以上的SiC晶片本文件规定了SiC晶片内部残余应力的光学无损检测方法
本文件适用于晶片厚度适当，对波长400-700nm的可见光范围内测试光的透过率在30%以上的SiC晶片

起草单位

中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、北京聚睿众邦科技有限公司、北京航空航天大学、北京天科合达半导体股份有限公司、北京三平泰克科技有限责任公司。

起草人

苏飞、闫方亮、彭同华、佘宗静、刘春俊、赵宁、陆敏、郑红军、陈鹏、林雪如、刘祎晨。

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