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T/IAWBS 013-2019 半绝缘碳化硅单晶片电阻率非接触测量方法

T/IAWBS 013-2019 半绝缘碳化硅单晶片电阻率非接触测量方法

T/IAWBS 013-2019

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  • 标准名称：半绝缘碳化硅单晶片电阻率非接触测量方法
  • 标准号：T/IAWBS 013-2019
    中国标准分类号：C398
  • 发布日期：2019-12-27
    国际标准分类号：29.045
  • 实施日期：2019-12-31
    团体名称：中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟
  • 标准分类：C 制造业电气工程

内容简介

本标准规定了半绝缘碳化硅电阻率非接触测量方法本标准适用于电阻率测量范围:105Ω?cm-1012Ω?cm；样品直径：50.8mm-200mm；样品厚度范围：250μm—5000μm的衬底SiC是继第一代以Si为代表的半导体材料和以砷化镓为代表的第二代半导体材料之后的第三代宽禁带半导体材料，由于自身的物理性能的优势，碳化硅作为衬底材料在极端物理条件下具有得天独厚的优势，特别在高温、高频、强磁场、抗辐射等方面显示出独特的优势
高纯半绝缘SiC衬底在通信领域有大量应用，同时，高纯半绝缘SiC衬底作为GaNHEMT微波功率器件的关键衬底材料，具有重要的军事意义
随着5G时代到来，以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表的第三代宽禁带半导体材料将迎来发展机遇
高纯半绝缘SiC衬底电阻率的大小及分布的均匀性是影响器件质量的关键参数
因此，准确测量SiC衬底电阻率，对改进衬底制备工艺及器件电学性能具有重要的意义
研究高纯半绝缘SiC电阻率非接触测量方法，统一行业内测试标准，对SiC相关行业之间交流及发展具有重大推动作用

起草单位

中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、中国电子科技集团公司第二研究所、北京世纪金光半导体有限公司、中国电子科技集团公司第五十五研究所、中国电子科技集团公司第四十六研究所。

起草人

侯晓蕊、王英民、李斌、魏汝省、王光耀、王程、马康夫、刘燕燕、田牧、任慧珍、徐伟、毛开礼、潘磊、陆敏、郑红军、刘祎晨。

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