T/IAWBS 009-2019 功率半导体器件稳态湿热高压偏置试验_标准下载

当前位置：标准网团体标准

T/IAWBS 009-2019 功率半导体器件稳态湿热高压偏置试验

T/IAWBS 009-2019

团体标准推荐性

收藏报错

标准T/IAWBS 009-2019标准状态

发布于：2019-12-27
实施于：2019-12-31
废止

标准详情

标准名称：功率半导体器件稳态湿热高压偏置试验
标准号：T/IAWBS 009-2019
中国标准分类号：C398
发布日期：2019-12-27
国际标准分类号：29.045
实施日期：2019-12-31
团体名称：中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟
标准分类：C 制造业电气工程

内容简介

本标准给出了非气密封装的功率半导体器件，包含但不限于绝缘栅双极晶体管、场效应晶体管、二极管的稳态湿热高压偏置试验方法，用以评价器件在高温高湿环境下耐受高电压的可靠性本标准适用于硅半导体器件以及宽禁带半导体器件高温高湿反偏测试是考核器件在高温高湿偏压条件下的耐久性的一项可靠性试验，其主要的失效机理为与湿度相关的腐蚀、电化学效应引起的阻断能力下降、漏电升高
通常情况下，该项测试采用的阻断电压较低，如AEC-Q101中规定偏置电压不超过100V
采用较低偏置电压的原因在于行业内普遍认为，阻断电压过高引起的较大的漏电流会导致器件的自加热，影响湿气进入封装内部
然而，近几年的研究成果及在实际使用过程中发现，功率器件在高温高湿环境下承受高偏压时失效率明显要更高，现有测试方法已不再满足器件高温高湿耐久性的验证需求
同时，高温高湿反偏测试涉及到温度、湿度、偏压三种应力，而这三种应力的施加方式在AEC-Q101中并未进行详细规定
本项目通过深入研究高温高湿反偏测试中，不同封装器件抵御湿气进入的能力，以及施加高电压对于测试方法的影响，对检测方法和要求进行更具针对性和更为详尽的规定和说明，从而建立一套更为严谨的用以评价非气密封装的功率半导体器件在高温高湿环境下耐受高电压的可靠性的检测标准

起草单位

中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、中国科学院电工研究所、全球能源互联网研究院有限公司、北京新能源汽车技术创新中心有限公司、深圳吉华微特电子有限公司。

起草人

张瑾、仇志杰、宁圃奇、陆敏、李尧圣、陈艳芳、魏跃远、王泽兴、潘志坚、冷轶群、刘祎晨、林雪如。

* 特别声明：资源收集自网络或用户上传，版权归原作者所有，如侵犯您的权益，请联系我们处理。

标准网本地下载

标准质量：

下载说明

① 欢迎分享本站未收录或质量优于本站的标准，期待。
② 标准出现数据错误、过期或其它问题请点击下方「在线纠错」通知我们，感谢！
③ 本站资源均来源于互联网，仅供网友学习交流，若侵犯了您的权益，请联系我们予以删除。

在线纠错

标准过期下载问题模糊有误其它问题