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T/IAWBS 003-2017 碳化硅外延层载流子浓度测定_汞探针电容-电压法

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T/IAWBS 003-2017

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标准T/IAWBS 003-2017标准状态

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  • 标准名称：碳化硅外延层载流子浓度测定_汞探针电容-电压法
  • 标准号：T/IAWBS 003-2017
    中国标准分类号：C398
  • 发布日期：2017-12-20
    国际标准分类号：29.045
  • 实施日期：2017-12-31
    团体名称：中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟
  • 标准分类：C 制造业电气工程

内容简介

本标准规定了碳化硅（4H-SiC）外延层载流子浓度的测定方法─汞探针电容－电压法
　本标准适用于单层同质碳化硅外延层载流子浓度的测量，要求测量的碳化硅外延层厚度必须大于测试偏压下耗尽层的宽度
载流子浓度测量范围为：1×1014　cm-3　～5×1017　cm-3
　本标准也可适用于碳化硅衬底载流子浓度的测量

起草单位

中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、瀚天天成电子科技（厦门）有限公司、全球能源互联网研究院、东莞天域半导体科技有限公司、北京天科合达半导体股份有限公司、中国电子科技集团公司第五十五研究所

起草人

冯淦、陈志霞、钮应喜、张新河、李赟、陆敏、彭同华、刘振洲

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