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T/ZZB 2833-2022 高压MOSFET用200 mm硅外延片

T/ZZB 2833-2022 高压MOSFET用200 mm硅外延片

T/ZZB 2833-2022

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标准T/ZZB 2833-2022标准状态

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标准详情

  • 标准名称：高压MOSFET用200 mm硅外延片
  • 标准号：T/ZZB 2833-2022
    中国标准分类号：H82/C398
  • 发布日期：2022-12-08
    国际标准分类号：29.045
  • 实施日期：2022-12-31
    团体名称：浙江省品牌建设联合会
  • 标准分类：H 住宿和餐饮业电气工程

内容简介

本文件规定了高压MOSFET用200mm硅外延片（以下简称硅外延片）的术语和定义、基本要求、技术要求、试验方法、检验规则、包装、标志、质量证明书、运输和贮存及质量承诺
本文件适用于直径为200mm、外延层厚度为40μm～80μm、在n型重掺砷硅抛光片上生长n型掺磷外延层、晶向的硅外延片
产品主要用于制作高压金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）器件（简称高压MOSFET）

起草单位

浙江金瑞泓科技股份有限公司。本文件参与起草单位 金瑞泓科技（衢州）有限公司。

起草人

许峰、李慎重、李刚、刘红方、 朱华英、 李方虎、 李艳玲。

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