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GB/T 28275-2012 硅基MEMS制造技术 氢氧化钾腐蚀工艺规范

GB/T 28275-2012 硅基MEMS制造技术 氢氧化钾腐蚀工艺规范

Silicon-based MEMS fabrication technology - Specification for KOH etch process

GB/T 28275-2012

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标准GB/T 28275-2012标准状态

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  • 标准名称:硅基MEMS制造技术 氢氧化钾腐蚀工艺规范
  • 标准号:GB/T 28275-2012
    中国标准分类号:L55
  • 发布日期:2012-05-11
    国际标准分类号:31.200
  • 实施日期:2012-12-01
    技术归口:全国微机电技术标准化技术委员会
  • 代替标准:
    主管部门:国家标准化管理委员会
  • 标准分类:电子学集成电路、微电子学

内容简介

国家标准《硅基MEMS制造技术 氢氧化钾腐蚀工艺规范》由TC336(全国微机电技术标准化技术委员会)归口,主管部门为国家标准化管理委员会。
本标准规定了采用氢氧化钾腐蚀工艺进行MEMS器件加工时应遵循的工艺要求。本标准适用于氮氧化钾腐蚀工艺和管理。

起草单位

中国科学院上海微系统与信息技术研究所、东南大学、中机生产力促进中心、重庆大学、中国电子科技集团第四十九研究所、

起草人

夏伟锋、 熊斌、 周再发、 李玉玲、 冯飞、戈肖鸿、

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