GB/T 14141-1993 硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定直排四探针法_标准下载

GB/T 14141-1993 硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定直排四探针法

Test method for sheet resistance of silicon epitaxial, diffused and ion-implanted layers using a collinear four-probe array

GB/T 14141-1993

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标准GB/T 14141-1993标准状态

发布于：1993-02-06
实施于：1993-10-01
废止

标准详情

标准名称：硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定直排四探针法
标准号：GB/T 14141-1993
中国标准分类号：H21
发布日期：1993-02-06
国际标准分类号：
实施日期：1993-10-01
技术归口：全国半导体材料和设备标准化技术委员会
代替标准：被GB/T 14141-2009被GB/T 14141-2009、代替
主管部门：国家标准化管理委员会
标准分类：

内容简介

本标准规定了用直排四探针测量硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的方法。本标准适用于测量直径大于10.0mm用外延、扩散、离子注入到硅圆片表面上或表面下形成的薄层的平均薄层电阻。硅片基体导电类型与被测薄层相反。对于厚度为0.2～3μm的薄层，测量范围为250～5000Ω；对于厚度不小于3μm的薄层，薄层电阻的测量下限可达10Ω。
国家标准《硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定直排四探针法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，主管部门为国家标准化管理委员会。

起草单位

峨眉半导体材料研究所、

起草人

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