GB/T 17170-1997 非掺杂半绝缘砷化镓单晶深能级EL2浓度红外吸收测试方法_标准下载

GB/T 17170-1997 非掺杂半绝缘砷化镓单晶深能级EL2浓度红外吸收测试方法

Test method for deep level EL2 concentration of undoped semiinsulating monocrystal gallium arsenide by measurement infra-red absorption method

GB/T 17170-1997

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标准GB/T 17170-1997标准状态

发布于：1997-12-22
实施于：1998-08-01
废止

标准详情

标准名称：非掺杂半绝缘砷化镓单晶深能级EL2浓度红外吸收测试方法
标准号：GB/T 17170-1997
中国标准分类号：H21
发布日期：1997-12-22
国际标准分类号：29.045
实施日期：1998-08-01
技术归口：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
代替标准：被GB/T 17170-2015代替
主管部门：国家标准化管理委员会
标准分类：电气工程半导体材料

内容简介

国家标准《非掺杂半绝缘砷化镓单晶深能级EL2浓度红外吸收测试方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，主管部门为国家标准化管理委员会。
本标准规定了非掺杂半绝缘砷化镓单晶及其晶片深能级EL2浓度红外吸收测试方法。本标准适用于电阻率大于10Ω·cm的非掺杂半绝缘砷化镓单晶及其晶片深能级EL2浓度的测定。本标准不适用于掺铬半绝缘砷化镓试样深能级EL2浓度测定。

起草单位

电子工业部第四十六研究所、

起草人

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