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GB/T 14146-2009 硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法

GB/T 14146-2009 硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法

Silicon epitaxial layers-determination of carrier concentration-mercury probe voltages-capacitance method

GB/T 14146-2009

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标准GB/T 14146-2009标准状态

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标准详情

  • 标准名称：硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法
  • 标准号：GB/T 14146-2009
    中国标准分类号：H80
  • 发布日期：2009-10-30
    国际标准分类号：29.045
  • 实施日期：2010-06-01
    技术归口：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
  • 代替标准：代替GB/T 14146-1993被GB/T 14146-2021代替
    主管部门：国家标准化管理委员会
  • 标准分类：电气工程半导体材料

内容简介

国家标准《硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，主管部门为国家标准化管理委员会。
本标准规定了硅外延层载流子浓度汞探针电容－电压测量方法。 u3000u3000本标准适用于同质的硅外延层载流子浓度测量。

起草单位

南京国盛电子有限公司、信息产业部专用材料质量监督检验中心、宁波立立电子股份有限公司、

起草人

马林宝、 唐有青、 金龙、 吕立平、 刘培东、李静、

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