GB/T 13151-2005 半导体器件分立器件第6部分:晶闸管第3篇电流大于 100A、环境和管壳额定的反向阻断三极晶闸管空白详细规范_标准下载

GB/T 13151-2005 半导体器件分立器件第6部分:晶闸管第3篇电流大于 100A、环境和管壳额定的反向阻断三极晶闸管空白详细规范

Semiconductor devices Discrete devices Part 6:Thyristors Section Three-Blank detail specification for reverse blocking triode thyristors,ambient and case-rated,for currents greater than 100A

GB/T 13151-2005

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标准GB/T 13151-2005标准状态

发布于：2005-03-23
实施于：2005-10-01
废止

标准详情

标准名称：半导体器件分立器件第6部分:晶闸管第3篇电流大于 100A、环境和管壳额定的反向阻断三极晶闸管空白详细规范
标准号：GB/T 13151-2005
中国标准分类号：K46
发布日期：2005-03-23
国际标准分类号：31.080.20
实施日期：2005-10-01
技术归口：全国半导体器件标准化技术委员会
代替标准：代替GB/T 13151-1991
主管部门：工业和信息化部（电子）
标准分类：电子学半导体分立器件晶体闸流管

内容简介

国家标准《半导体器件分立器件第6部分:晶闸管第3篇电流大于 100A、环境和管壳额定的反向阻断三极晶闸管空白详细规范》由TC78（全国半导体器件标准化技术委员会）归口，主管部门为工业和信息化部（电子）。
国际电工委员会电子元器件质量评定体系(IECQ)遵循国际电工委员会的章程，在国际电工委员会授权下开展工作。评定体系的目的是以这样一种方式确定质量评定程序，即一个成员国按照符合适用规范要求所放行的电子元器件在其他所有成员国无需再试验同样为合格。本空白详细规范是半导体器件一系列空白详细规范的一个，应与下列国家标准一起使用。 ——GB/T 4589.1—1989 半导体器件分立器件和集成电路总规范。 ——GB/T 12560—1999 半导体器件分立器件分规范。

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