GB/T 1552-1995 硅、锗单晶电阻率测定直排四探针法_标准下载

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GB/T 1552-1995 硅、锗单晶电阻率测定直排四探针法

Test method for measuring resistivity of monocrystal silicon and germanium with a collinear four-probe array

GB/T 1552-1995

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标准GB/T 1552-1995标准状态

发布于：1995-04-18
实施于：1995-12-01
废止

标准详情

标准名称：硅、锗单晶电阻率测定直排四探针法
标准号：GB/T 1552-1995
中国标准分类号：H21
发布日期：1995-04-18
国际标准分类号：77.040.30
实施日期：1995-12-01
技术归口：全国半导体材料和设备标准化技术委员会
代替标准：代替GB 6615-1986;GB 1552-1979;GB 5251-1985被GB/T 1551-2009代替
主管部门：国家标准化管理委员会
标准分类：冶金

内容简介

本标准规定了用直排四探针测量硅、锗单晶电阻率的方法。本标准适用于测量试样厚度和从试样边缘与任一探针端点的最近距离二者均大于控针间距的4倍的硅、锗单晶的体电阻率以及测量直径大于探针间距的10倍、厚度小于控针间距4倍的硅、锗单晶圆片（简称圆片）的电阻率。测量范围为硅：1×10～3×10Ω·cm，锗：1×10、1×10Ω·cm。

起草单位

上海有色金属研究所

起草人

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